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通过降低变形势来实现高μH,力市这源于应变和温度引起的高晶体对称性。在热电器件的设置上,场结差一些最先进的热电材料仍然不能满足必要的要求,因为实际的热电器件要求在宽温度范围内ZT高,即ZTave高。
算概司平沿面外方向的电传输特性。况售相关研究成果以Highthermoelectricperformancerealizedthroughmanipulatinglayeredphonon-electrondecoupling为题发表在science上。